产品中心
Product Center
创飞芯源采用全球最领先的12”晶圆工艺,致力了推广高性能,并极具性价比竞争力的全系列Mosfet产品。
公司应用核心专利:Deep trench Double gate 深沟槽双栅技术,推出性能更优,性价比更好的中低压Mosfet,提供客户更优的选型参考。

产品系列包括:
CSP Mosfet,
Planar平面型
Trench沟槽型
SGT屏蔽栅型
Multi-EPI SJ多层外延超结型
Part Number
Configuration
BV (V)
Id@25℃ (A)
Rds@10V Typ(mΩ)
Rds@4.5V Typ(mΩ)
Vgs(th) Max(V)
Qg (nC)
Ciss (pf)
ESD
Package
工业级 车规级