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GaN FET
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创飞芯源采用全球最领先的12”晶圆工艺,致力了推广高性能,高可靠性,并极具性价比竞争力的IGBT产品。
Part Number
Vbr (V)
Ic (A) @100℃
If (A) @100℃
Vth.Typ (V)
Vce(sat). Typ (V)
Tsc (us)
Switching Frequency
Package
All
CFB6B65M
CFD6B65M
CFK40B120H5P3
CFK40B65PQ1
CFK40B65PQ3
CFK60B65H8P1
CFK60B65H8P3
CFK60B65H8SC
CFK75B120H2P3
CFQ160B65PQ3
CFT8B60M
CFTF15B60H2P3
All
1200
600
650
All
15
160
40
6
60
75
8
80
All
15
160
30
40
5
6
60
75
8
All
4.8
5
5.2
5.3
5.9
All
1.5
1.6
1.65
1.73
1.82
All
10
5
All
20KHz
30KHz
40KHz
50KHz
75KHz
All
TO220
TO220F
TO247
TO247-PLUS
TO252
TO263