创飞芯源

推出两款全新功率MOSFET，以卓越能效简化电源设计

时间：2025.12.11

发布者：创飞芯源

推出两款全新功率MOSFET，以卓越能效简化电源设计

创飞正式发布CFN2R2DN20与CFN4R5DN20两款功率MOSFET，旨在为高效率电源与电池管理系统提供更优解。新品兼具低导通电阻与业界领先的低栅极电荷特性，能显著提升系统效率并简化驱动设计。

核心优势：

1. 驱动极简，节约成本：仅需2.5V栅压即可完全开启，可直接由MCU驱动，省去外置驱动IC，助力降低系统成本与复杂度。
2. 能效卓越，损耗更低：超低的栅极电荷（Qg仅23-30nC），使开关损耗较主流竞品降低约18%，为提升整机效率带来关键贡献。

典型应用：

1. USB-C PD快充：在同步整流或负载开关应用中，可单颗承载5A电流且温升控制优异，是实现小体积、高效率快充设计的理想选择。
2. 多串锂电保护：作为双向负载开关，可替代两颗单N管，简化电路布局并降低约30%的BOM成本。

目前，CFN2R2DN20与CFN4R5DN20均已实现量产并备有现货，标准订单供货周期为4周，为您的项目快速上市提供可靠支持。