发布1200V SiC MOSFET新品，高功率密度赋能5kW+系统

  创飞新一代1200V SiC MOSFET产品CFKQ120SC016已实现规模量产。该器件采用TO-247-4L封装，具备16mΩ典型导通电阻与139A连续电流能力，显著提升系统功率密度与效率。

  其单管方案在800V母线条件下，总损耗较同级硅基MOSFET降低约40%，助力5kW系统无需并联。极低反向恢复电荷与无拖尾体二极管特性，适合高频及双向能量应用。175℃最高结温无需降额，可减小散热器尺寸，提升功率密度20%以上。器件并联均流误差控制在3%以内，便于功率扩展。

  产品适用于光伏储能、工业电源（如UPS、充电桩）及特种设备（如激光器、感应加热），助力系统高频高效设计。CFKQ120SC016现已量产供货，可提供样品及批量订单。