创飞芯源推出750V SiC MOSFET CFD075SC380
创飞芯源 发布CFD075SC380平面型碳化硅MOSFET，采用750V宽禁带技术，在TO-252封装内实现260mΩ超低导通电阻（18V驱动）与11A电流能力，175°C高温下仍保持325mΩ，显著优于硅基方案。
该器件具备21.3nC低栅极电荷与2.4pF反向传输电容，支持纳秒级高速开关，可提升系统开关频率、缩减磁性元件体积。独有的0V关断抗寄生导通特性，有效抑制半桥拓扑米勒效应，简化驱动设计；内置体二极管反向恢复电荷仅33.7nC，降低开关损耗与EMI。
适用于光伏逆变器、储能PCS、充电桩及服务器电源等场景，助力客户实现高效率、高功率密度设计，突破硅器件性能瓶颈。
