创飞芯源获MOS静电防护发明专利，提升器件可靠性
日前，深圳市创飞芯源半导体有限公司自主研发的"静电保护器件及其制备方法"发明专利获得国家知识产权局正式授权，专利号： 202511906930.8。
创飞芯源是一家专注于MOS器件研发的Fabless芯片设计企业。此次授权的专利针对消费电子及通用领域应用场景下的静电防护需求，通过创新的器件结构与制备工艺，有效提升了MOSFET产品的抗静电能力和工作可靠性。
该技术将应用于公司各系列MOS产品线，进一步完善公司在功率器件领域的技术布局。创飞芯源将持续深耕MOS技术创新，为客户提供高可靠性的器件解决方案。
