展开分类
| 测试项目 | 测试目的 | 备注 |
|---|---|---|
| 温升测试 | 测量DUT在不同电流下的温升数据 | 和竞品做bench mark |
| 短路测试 | 测量DUT在不同电压（比如4.2V，6V7V）下，将DUT开通后，承受短路电流的 能力，该值越大越好，和竞品作bench mark | 短路时间设定为260uS |
| BVtouch测试 | 模拟电池反接测试，BVtouch电压要大于耐压值，该值越大越好 | 和竞品做bench mark |
| UIS测试 | 测试DUT是否可以在大电流下安全关断能力，可关断的电流的越大代表越可靠 | 测试电感是nH级小电感 |
| SOA测试 | 测试DUT在饱和区承受大功率的能力，模拟Mos在开通和关断期间 同时承受V*l=功率的可靠性，该工况下Mos管工作在放大区，时间为ms级 | Vds电压设为一定（比如5V），逐步增大Iss电流 直到失效为止，越大代表可靠性越高 |
